Ученые из Мэрилендского университета обнаружили, что в материале под названием графен электроны перемещаются гораздо быстрее, чем в кремнии, который используется в качестве полупроводниковой подложки в микросхемах.

Графен, который представляет собой слой атомов углерода, соединенных посредством sp2 связей в гексагональную двумерную кристаллическую решетку, позволяет ускорить перемещение электронов в сотню раз.

При комнатной температуре графен обеспечивает сопротивление всего в один микроом на сантиметр, что на 35 процентов ниже сопротивления меди, которая используется в качестве проводника при создании микросхем.

Ученые отмечают, что пока графен содержит примеси и из-за этого его сопротивление выше, чем у меди, однако потенциально он позволяет создание транзисторов со сверхбыстрым временем переключения. Кроме того, графен из-за того, что имеет толщину в один атом, может быть широко применен в областях, связанных с тонкопленочными технологиями. В частности, они могут были использованы в сенсорных экранах и фотоэлектрических элементах.

Графен был открыт и описан физиками из Манчестерского университета в 2004 году. В статье в журнал Science они отмечали, что материал в природе не существует и является нестабильным по сравнению с другими, состоящими из атомов углерода.